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霍爾傳感器基于霍爾效應，他是霍爾技術(shù)應用的理論基礎(chǔ)，當通有小電流的半導體薄片置于磁場中時（如圖1），半導體內(nèi)的載流子受洛倫茲力的作用發(fā)生偏轉(zhuǎn)，使半導體兩側(cè)產(chǎn)生電勢差，該電勢差即為霍爾電壓VH，VH與磁感應強度B及控制電流IC成正比，經(jīng)過理論推算有式（1）關(guān)系。
VH=（RH/d）×B×IC（1）
式中：B為磁感應強度；
IC為控制電流；
RH為霍爾系數(shù)；
d為半導體厚度。
式（1）中，若保持控制電流IC不變，在一定條件下，可通過測量霍爾電壓推算出磁感應強度的大小，由此建立了磁場與電壓信號的聯(lián)系。根據(jù)這一關(guān)系式，人們研制出了用于測量磁場的半導體器件，即霍爾器件。
圖1 霍爾效應原理
按被檢測對象的性質(zhì)可將它們的應用分為：直接應用和間接應用。前者是直接檢測受檢對象本身的磁場或磁特性，后者是檢測受檢對象上人為設(shè)置的磁場，這個磁場是被檢測的信息的載體，通過它，將許多非電、非磁的物理量，例如速度、加速度、角度、角速度、轉(zhuǎn)數(shù)、轉(zhuǎn)速以及工作狀態(tài)發(fā)生變化的時間等，轉(zhuǎn)變成電學量來進行檢測和控制。 |
